{"product_id":"ge-is200ehpag1dab-gate-pulse-amplifier-boards","title":"لوحات مضخم النبضات GE IS200EHPAG1DAB","description":"\u003cp\u003eتم تكوين \u003cstrong\u003eGE IS200EHPAG1DAB\u003c\/strong\u003e (لوحة مضخم نبضات بوابة المحفز \u003cstrong\u003eIS200EHPAG1DAB\u003c\/strong\u003e) لتضخيم الإشارة وتنفيذ توجيه أشباه الموصلات في منصات التحكم في الإثارة GE EX2100، وتوفر تنفيذًا ماديًا\/كهربائيًا مباشرًا. تعمل الوحدة بنظام تشغيل QNX في الوقت الفعلي على معالج Intel Celeron 650 ميجاهرتز مع ذاكرة وصول عشوائي SDRAM بسعة 128 ميجابايت، وتقوم بتحويل إطارات الأوامر الواردة إلى إشارات تشغيل عالية التيار لتشغيل مقومات السيليكون المتحكم فيها (SCRs) عبر جسر تحويل الطاقة ضمن نطاق جهد تشغيل من 14 إلى 32 فولت تيار مستمر.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eمواصفات الأجهزة\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003cthead\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفات\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/thead\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالنموذج\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eIS200EHPAG1DAB\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eجنرال إلكتريك (GE)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة الأمريكية\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e1.2 كجم\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e33 × 26.6 × 4.2 سم\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e0 إلى 70 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التخزين\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e-40 إلى 80 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eمدخل مصدر الطاقة\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eنافذة تشغيل من 14 إلى 32 فولت تيار مستمر\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالمعالج الدقيق الأساسي\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eIntel Celeron 650 ميجاهرتز\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالذاكرة المدمجة\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e128 ميجابايت SDRAM\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eنظام التشغيل في الوقت الفعلي\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eQNX\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eالحد الأقصى لمقاومة السلك\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e15 أوم\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eرمز التعريفة الجمركية\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8537101190\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eنوع المنتج الأساسي\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eتجميع لوحة مضخم نبضات بوابة المحفز\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eسرعة الاتصال عبر ناقل اللوحة الخلفية وتوسيع كثافة الإدخال\/الإخراج\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتستخدم لوحة IS200EHPAG1DAB معالج Intel Celeron 650 ميجاهرتز وطبقة برنامج QNX المحددة للحفاظ على سرعة اتصال ناقل اللوحة الخلفية، مما يمنع انحراف زاوية الطور أثناء تسلسلات الإطلاق عالية التردد. تسمح سجلات الذاكرة المضمنة بجمع تشخيصات الجسر في الوقت الفعلي مع الحفاظ على نوافذ تنفيذ التبويبات المتزامنة. يدعم المعالج الأساسي إجراءات توسيع كثافة الإدخال\/الإخراج للنظام المعيارية عن طريق إدارة حلقات تتبع التغذية الراجعة التناظرية متعددة القنوات محليًا حتى مقاومة سلك قصوى تبلغ 15 أوم، مما يضمن توافقًا كاملاً لبرنامج التشغيل الثابت مع عقد التحكم العلوية وعزل رف وحدة التحكم الرئيسي عن ارتفاعات حمل الشبكة المحلية أثناء تغييرات الحمل الديناميكية.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة المتكررة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف يؤثر معلمة مقاومة السلك القصوى البالغة 15 أوم على قيود تركيب الأسلاك الميدانية؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: يحدد حد 15 أوم أقصى مقاومة مسموح بها للحلقة لكابلات خرج البوابة التي تعمل من اللوحة إلى بوابات مقومات SCR. يؤدي تجاوز هذا الحد البالغ 15 أوم إلى تخفيف نبضة تيار الدفع، مما يتسبب في تسلسلات تشغيل ثايرستور غير مكتملة، وعدم تناسق توقيت البوابة، وإجهاد حراري موضعي على وصلات أشباه الموصلات الكهربائية.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: ما هي المؤشرات التشغيلية لفساد في صورة نظام التشغيل QNX في الوقت الفعلي أو قطاع SDRAM؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: يؤدي الفشل داخل ذاكرة SDRAM المدمجة بسعة 128 ميجابايت أو نواة QNX إلى توقف تسلسل تهيئة المعالج 650 ميجاهرتز. يوقف هذا القفل البرمجي توليد جميع مخرجات تضخيم نبضات البوابة، ويقطع تتبع اتصال ناقل اللوحة الخلفية المحلي، ويضيء مصابيح LED للخطأ في اللوحة الأمامية بشكل مستمر، ويبث فشل مراقبة الأجهزة الحرج إلى وحدة التحكم الرئيسية EX2100.\u003c\/p\u003e","brand":"GE","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":45052986851443,"sku":"IS200EHPAG1DAB","price":88.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0644\/4348\/2227\/files\/screenshot_2026-05-28_11-10-317.png?v=1779938965","url":"https:\/\/www.dcssupplier.com\/ar\/products\/ge-is200ehpag1dab-gate-pulse-amplifier-boards","provider":"DcsSupplier Limited","version":"1.0","type":"link"}